Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 В ±5%
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ -1,5 В
Напряжение база-эмиттер выходного транзистора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 В
Входной ток низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 мА
Ток короткого замыкания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -18…-55 мА
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения . . . . . . . . . . . . . ≤ 7 мА
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения . . . . . . . . . . . . ≤ 4 мА
Ток расширительных входов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ -2,9 мА
Время задержки распространения при включении . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 15 нс
Время задержки распространения при выключении . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 22 нс
|