Микросхемы представляют собой прецизионные малошумящие операционные усилители с выходным напряжением ± 10 В, большими коэффициентами усиления и подавления синфазной составляющей, низкими дрейфом напряжения смещения нуля и чувствительностью к изменениям напряжения питания (коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля менее 35 мкВ/В). Имеют защиту выхода от коротких замыканий. Содержат 45 интегральных элементов.

Назначение выводов:
1 — балансировка;
2 — инвертирующий вход;
3 — неинвертирующий вход;
4 — напряжение питания (-U_п);
5 — частотная коррекция;
6 — выход;
7 — напряжение питания (+U_п);
8 — балансировка.

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 15В ± 10%
Максимальное выходное напряжение при
U_п=±15 В, U_вх=(0,1 ± 0,01) В, R_н=(2 ± 0,04) кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ |± 10| В
Напряжение смещения нуля при U_п=±15 В, R_н≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2,5 мВ
Средний входной ток при U_п=±15 В, R_н≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 250 нА
Разность входных токов при U_п=±15 В, R_н≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 30 нА
Ток потребления при U_п=±15 В, R_н≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 5 мА
Коэффициент усиления напряжения при U_п=±15 В, R_н=2 ± 0,04 кОм . . . . . . . ≥ 400*103
Коэффициент ослабления синфазных напряжений
при U_п=±15 В, R_н≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 94 дБ
Коэффициент влияния нестабильности источников питания
на напряжение смещения нуля при U_п=±15 В, R_н≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 35 мкВ/В
Входное сопротивление . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 МОм
Частота единичного усиления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0,1 МГц
Температурный дрейф напряжения смещения нуля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 мкВ/ °C

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± (13,5…16,5) В
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± (5…16,5) В
Входное напряжение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ |± 4,5| В
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± 5 В
Синфазные входные напряжения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ |± 13,5| В
Сопротивление нагрузки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 2 кОм
Рассеиваемая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 450 мВт
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,5 Вт
Статический потенциал . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100 В
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-10…+70 °C

Рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки микросхем (270 ± 10)°C, продолжительность пайки не более 3 секунд. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм. При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек микросхем. Корпус ИС находится под отрицательным потенциалом.