К153УД5, К153УД501

Микросхемы представляют собой прецизионные малошумящие операционные усилители с выходным напряжением ± 10 В, большими коэффициентами усиления и подавления синфазной составляющей, низкими дрейфом напряжения смещения нуля и чувствительностью к изменениям напряжения питания (коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля менее 35 мкВ/В). Имеют защиту выхода от коротких замыканий. Содержат 45 интегральных элементов.

Назначение выводов:
1 — балансировка;
2 — инвертирующий вход;
3 — неинвертирующий вход;
4 — напряжение питания (-Uп);
5 — частотная коррекция;
6 — выход;
7 — напряжение питания (+Uп);
8 — балансировка.

Типовая схема микросхемы К153УД2, К153УД201

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 15В ± 10%
Максимальное выходное напряжение при
Uп=±15 В, Uвх=(0,1 ± 0,01) В, Rн=(2 ± 0,04) кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ |± 10| В
Напряжение смещения нуля при Uп=±15 В, Rн≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2,5 мВ
Средний входной ток при Uп=±15 В, Rн≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 250 нА
Разность входных токов при Uп=±15 В, Rн≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 30 нА
Ток потребления при Uп=±15 В, Rн≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 5 мА
Коэффициент усиления напряжения при Uп=±15 В, Rн=2 ± 0,04 кОм . . . . . . . ≥ 400*103
Коэффициент ослабления синфазных напряжений
при Uп=±15 В, Rн≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 94 дБ
Коэффициент влияния нестабильности источников питания
на напряжение смещения нуля при Uп=±15 В, Rн≥10 кОм . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 35 мкВ/В
Входное сопротивление . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 МОм
Частота единичного усиления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0,1 МГц
Температурный дрейф напряжения смещения нуля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 мкВ/ °C

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± (13,5…16,5) В
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± (5…16,5) В
Входное напряжение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ |± 4,5| В
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± 5 В
Синфазные входные напряжения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ |± 13,5| В
Сопротивление нагрузки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 2 кОм
Рассеиваемая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 450 мВт
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,5 Вт
Статический потенциал . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100 В
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-10…+70 °C

Рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки микросхем (270 ± 10)°C, продолжительность пайки не более 3 секунд. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм. При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек микросхем. Корпус ИС находится под отрицательным потенциалом.

Если вам понравилась статья, вы можете подписаться на RSS или E-mail рассылку. Для получения обновлений по электронной почте, введите ваш e-mail адрес в эту форму (Доставка от FeedBurner):

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *