Микросхемы представляют собой дешифратор для управления дискретной матрицей на светодиодах. Содержат 160 интегральных элементов.
Назначение выводов:
1 — выход 1;
2 — свободный;
3 — выход 3;
4 — свободный;
5 — выход 5;
6 — свободный;
7 — выход 8;
8 — выход 10;
9 — выход 12;
10 — выход 13;
11 — выход 11;
12 — общий;
13 — выход 10;
14 — выход 7;
15 — выход 6;
16 — свободный;
17 — выход 4;
18 — свободный;
19 — выход 2;
20 — вход "23";
21 — вход "22";
22 — вход "21";
23 — вход "20";
24 — напряжение питания.
Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,8 В
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 2 В
Помехоустойчивость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,4 В
Выходное напряжение низкого уровня, стыкующееся с одним светодиодом . . 2…4 В
Выходное напряжение низкого уровня на выходе, стыкующееся
с двумя последовательно соединенными светодиодами . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 2,3 В
Напряжение на антизвонном диоде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1,5 В
Входной ток низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 мА
Ток холостого хода . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 65 мА
Выходной ток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 10 мА
Ток утечки на выходе . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,2 нА
Потребляемая статическая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 341,25 мВт