Микросхема представляют собой 2 логических элемента 2И-НЕ с общим входом и двумя мощными транзисторами. Содержит 30 интегральных элементов.

Назначение выводов:
1 — вход;
2 — вход;
3 — выход;
4 — база VT1;
5 — коллектор VT1;
6 — эмиттер VT1;
7 — общий;
8 — подложка;
9 — эмиттер VT2;
10 — коллектор VT2;
11 — база VT2;
12 — выход;
13 — вход;
14 — напряжение питания.

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня:
    на выводах 3, 12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,4 В
    на выводах 5, 10 при I_с=100 мА . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,5 В
    при I_с=300 мА . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,7 В
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня:
    по входу 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -3,2 мА
    по входам 2, 13 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня:
    по входу 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,08 мА
    по входам 2, 13 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток:
    по входу 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 2 мА
    по входам 2, 13 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 мА
Ток короткого замыкания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -18…-55 мА
Выходной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,1 мА
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения . . . . . . .≤ 11 мА
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения . . . . . .≤ 4 мА
Потребляемая статическая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 39 мВт
Время задержки распространения при включении . . . . . . . . . . . . . .≤ 50 нс
Время задержки распространения при выключении . . . . . . . . . . . . .≤ 50 нс