Микросхемы представляют собой логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. Содержат 29 интегральных элементов.

Назначение выводов:
1 — вход X4;
2 — вход X5;
3 — вход X6;
4 — вход X7;
5 — вход X8;
6 — вход X9;
7 — общий;
8 — выход Y;
9 — вход X1;
10 — вход X2;
11 — вход X10;
12 — вход X11;
13 — вход X3;
14 — напряжение питания.

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ -1,5 В
Напряжение база-эмиттер выходного транзистора . . . . . . . . . . . . . ≤ 1,1 В
Входной ток низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 мА
Ток короткого замыкания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-18…-55 мА
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения . . . . . . .≤ 9,5 мА
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения . . . . . .≤ 8 мА
Ток расширительных входов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -3,3 мА
Потребляемая статическая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 45,9 мВт
Время задержки распространения при включении . . . . . . . . . . . . . .≤ 15 нс
Время задержки распространения при выключении . . . . . . . . . . . . .≤ 22 нс