Микросхема К155РУ7 (серия микросхем К155) представляет собой оперативное запоминающее устройство на 1024 бит (1024 слов * 1 разряд) со схемами управления. ИС выполняет следующие алгоритмы функционирования: запись, хранение, считывание информации при произвольной последовательности адресов. Содержит 7500 интегральных элементов.
Назначение выводов микросхемы К155РУ7:
1 — вход разрешения выборки кристалла V1;
2 — вход адреса A0;
3 — вход адреса A1;
4 — вход адреса A2;
5 — вход адреса A3;
6 — вход адреса A4;
7 — выход информации;
8 — общий;
9 — вход адреса A5;
10 — вход адреса A6;
11 — вход адреса A7;
12 — вход адреса A8;
13 — вход адреса A9;
14 — вход разрешения записи V2;
15 — вход информации D;
16 — напряжение питания.
Электрические параметры микросхемы К155РУ7:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ -0,4 мА
Входной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,04 мА
Входной ток в состоянии «выключено» . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 50 мкА
Ток короткого замыкания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 100 мА
Ток потребления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 140 мА
Удельная потребляемая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,7 мВт/бит
Время выборки адреса для перехода из состояния
низкого уровня в состояние высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 45 нс
Время выборки адреса для перехода из состояния
высокого уровня в состояние низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 45 нс
Время выборки разрешения для перехода из
третьего состояния в состояние низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . .≤ 35 нс
Время выборки разрешения для перехода из
третьего состояния в состояние высокого уровня . . . . . . . . . . . . . .≤ 35 нс
Время выборки хранения для перехода из
состояния низкого уровня в третье состояние . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 35 нс
Время выборки хранения для перехода из
состояния высокого уровня в третье состояние . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 35 нс
Время выборки записи для перехода из
состояния низкого уровня в третье состояние . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 35 нс
Время выборки записи для перехода из
состояния высокого уровня в третье состояние . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 35 нс
Время выборки считывания для перехода из
третьего состояния в состояние низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . .≤ 40 нс
Время выборки считывания для перехода из
третьего состояния в состояние высокого уровня . . . . . . . . . . . . . .≤ 40 нс
Входная емкость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 5 нс
Выходная емкость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 8 нс