К165ГФ1

Микросхема представляет собой четырехфазный генератор импульсов, изготовленный по МОП-технологии. По уровням входных и выходных сигналов, совместима с микросхемами серии К145. Содержит 155 интегральных элементов.


Назначение выводов:
1 — общий (+Uп);
2 — не используется;
3 — не используется;
4 — выход стабилизатора;
5 — выход фазы Ф1;
6 — выход фазы Ф2;
7 — напряжение питания (-Uп);
8 — выход фаза Ф4;
9 – выход фаза Ф3;
10 — не используется;
11 — регулировка частоты;
12 — регулировка частоты.

К165ГФ1

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -27 В ±5%
Выходное напряжение высокого уровня при Uп=-27 В . . . . . . . . . . -24,6…28,4В
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1 В
Ток потребления при Uп=-28,4 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 8 мА
Частота генерирования при Uп=-27 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .68…72 кГц
Время перехода из состояния низкого уровня в состояние
высокого уровня при Uп=-27 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,6 мкс
Интервал времени между импульсами фаз Ф2 и Ф4,
Ф4 и Ф2 Uп=-27 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 0,1 мкс
Уход частоты при Uп=-28,4 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 10%
Емкость нагрузки по выходам фаз:
    Ф1 и Ф3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 400 пФ
    Ф2 и Ф4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 200 пФ
Сопротивление нагрузки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 150 кОм

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение на выводах питания и подключения
внешнего резистора, задающего частоту . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25,6…-28,4 В
Сопротивление нагрузки по выходам фаз . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 150 кОм
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -10…+70 °C

Рекомендации по применению:
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы.
Температура пайки микросхем 275 ±5°C. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1 мм, продолжительность пайки не более 2,5 секунд. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

Если вам понравилась статья, вы можете подписаться на RSS или E-mail рассылку. Для получения обновлений по электронной почте, введите ваш e-mail адрес в эту форму (Доставка от FeedBurner):

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *