К165ГФ2

Микросхема представляет собой четырехфазный генератор импульсов, изготовленный по МОП-технологии. Предназначена для применения в клавишных вычислительных машинах и управляющих устройствах. По уровням входных и выходных сигналов, совместима с микросхемами серии К145. Содержит 250 интегральных элементов.


Назначение выводов:
1 — регулировка частоты;
2 — выход фазы Ф4;
3 — не используется;
4 — не используется;
5 — не используется;
6 — выход фазы Ф2;
7 — выход стабилизатора;
8 — напряжение питания (-Uп);
9 – выход фаза Ф1;
10 — не используется;
11 — не используется;
12 — выход фаза Ф3;
13 — регулировка частоты;
14 — общий (+Uп).

микросхема К165ГФ2

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-27 В ±5%
Выходное напряжение высокого уровня при
Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 23,7 В
Выходное напряжение низкого уровня при
Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 В
Выходное напряжение высокого уровня фаз Ф1 и Ф2
в режиме запрета при Uп=-24,3 В, Uвх=-15 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 1 В
Входное напряжение низкого уровня фазы Ф2
при Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,5 В
Ток потребления при Uп=-29,7 В, Uвх=-2 В, fг=115 кГц . . . . . . . . . . . . ≤ 12 мА
Входной ток фаз Ф1 и Ф2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 10 мкА
Частота генерирования при Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . 90…110 кГц
Уход частоты при Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ |±15|%
Время перекрытия фаз Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4
при Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 1,1 мкс
Время сдвига спадов импульсов фаз Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4
при Uп=-24,3 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 1,1 мкс
Интервал времени между импульсами фаз Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4
при Uп=-24,3 В, Uвх=-2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 0,1 мкс
Время перехода из состояния низкого уровня в состояние
высокого уровня в состояние низкого уровня при С=950 пФ . . . . . . . . ≤ 0,5 мкс

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение на выводах питания и подключения
внешнего резистора, задающего частоту . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -24,3…-28,4 В
Сопротивление нагрузки по выходам фаз:
    Ф1, Ф2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 51 кОм
    Ф3, Ф4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 100 кОм
Сумма емкостей нагрузки по выходам фаз . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 2500 пФ
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -10…+70 °C

Рекомендации по применению:
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы.
Температура пайки микросхем 235 ±5°C. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1 мм, продолжительность пайки не более 2,5 секунд. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

Если вам понравилась статья, вы можете подписаться на RSS или E-mail рассылку. Для получения обновлений по электронной почте, введите ваш e-mail адрес в эту форму (Доставка от FeedBurner):

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *