Микросхемы представляют собой усилители мощности звуковой частоты с выходной мощностью 1 Вт (К174УН4А) и 0,7 Вт (К174УН4Б) на нагрузке 4 Ом. Содержат 32 интегральных элемента.

Назначение выводов:
1 — коррекция Icc выходов транзисторов;
2 — обратная связь;
3 — теплоотвод;
4 — вход;
5 — фильтр;
6 — вольтодобавка;
7 — напряжение питания (+U_п);
8 — выход;
9 — напряжение питания (-U_п).

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 В ±10%
Ток потребления при U_п=9 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 10 мА
Коэффициент усиления при U_п=9 В, f_вх=1 кГц, U_вх=0,1 В . . . . 4…40
Нестабильность коэффициента усиления напряжения
при U_п=9 В, f_вх=1 кГц, T=+25…55 °C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 20%
Коэффициент гармоник при U_п=9 В, f_вх=1 кГц:
    К174УН4А при U_вых=2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 2%
    К174УН4Б при U_вых=1,7 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2%
Входное сопротивление при U_п=9 В, f_вх=1 кГц . . . . . . . . . . . . ≥ 10 кОм
Выходная мощность при R_н=40 мА:
    К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Вт
    К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0,7 Вт
Диапазон рабочих частот . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30…20*10³ Гц
Коэффициент полезного действия:
    К174УН4А при P_вых=1 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50%
    К174УН4Б при P_вых=0,7 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35%
Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 °C/Вт
кристалл-среда . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .135 °C/Вт
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-25…+55 °C

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8,1..9,9 В
в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5,4..10 В
Выходное напряжение:
    К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2 В
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2,2 В
    К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1,7 В
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1,87 В
Амплитуда тока в нагрузке:
    К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 840 мА
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 мА
    К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 710 мА
    в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750 мА
Температура кристалла . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125 °C

Рекомендации по применению:
   При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем.
   Температура пайки 235 ±5 °C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с.
   При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.
   Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
   Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющих вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
   Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов C2 и С4. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20 кГц — не более 3 дБ. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связи R2 и емкости конденсатора C2.
   Допустимое значение статического потенциала 200 В.