Электрические параметры:
Номинальное напряжение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 В ±10%
Выходное напряжение при Uп=±15 В, fвх=1 кГц . . . . . . . . . . . . .2,6…5,5 В
Максимальное входное напряжение при
Uп=15 В, Uвых=3,16 В, fвх=1 кГц, Pвых=2,5 Вт . . . . . . . . . . . . . . .30…70 мВ
Ток потребления при Uп=15 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5…20 мА
Выходная мощность при Rн=4 Ом . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4,5 Вт
Коэффициент гармоник при Uп=15 В:
Uвых=4,25 В, fвх=1 кГц, Pвых=4,5 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 10%
Uвых=0,45 В, fвх=1 кГц, Pвых=0,05 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 2%
Uвых=3,16 В, fвх=1 кГц, Pвых=2,5 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 2%
Коэффициент усиления по напряжению при T=-10…+55°C . . . . . .≥ 45
Диапазон рабочих частот . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40…20 000 Гц
Значение КПД при Pвых=4,5 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥50%
Входное сопротивление . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 30 кОм
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13,5…16,5 В
Амплитуда входного напряжения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2 В
Постоянное напряжение:
на выводе 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 15 В
на выводе 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,3…2 В
Сопротивление нагрузки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 4 Ом
Тепловое сопротивление:
переход-среда . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100°C/Вт
переход-корпус . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20°C/Вт
Температура корпуса . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .85°C
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -10…+55 °C
Рекомендации по применению:
При монтаже микросхемы необходимо предусматривать наименьшую длину соединений между выводами и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей.
Температура пайки при монтаже микросхемы 235±5°С, расстояние от основания корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы.
Допускается использовать микросхемы с нагрузкой не менее 4 Ом. При увеличении сопротивления нагрузки выходная мощность уменьшается. Допускается использовать микросхемы при напряжении питания менее 15 В; однако при этом выходная мощность снижается.
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом), где Ткорп — температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.
Допускается кратковременное (в течение 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.
|