Микросхемы представляют собой четырехканальный коммутатор (2х2) на 4 полевых транзисторах с изолированным затвором. Содержат 8 интегральных элементов.

Назначение выводов микросхемы К190КТ2:

  1 — затвор транзистора;
  2 — затвор транзистора;
  3 — затвор транзистора;
  4 — сток транзистора;
  5 — подложка;
  6 — соединенные истоки двух транзисторов;
  7 — сток транзистора;
  8 — сток транзистора;
  9 — соединенные истоки двух транзисторов;
10 — сток транзистора;
11 — свободный;
12 — затвор транзистора.

Микросхема К190КТ2:

Электрические параметры:

Пороговое напряжение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ -6 В
Ток утечки затвора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 30 нА
Суммарный начальный ток стока . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 400 нА
Ток истока . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 150 нА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 50 Ом
Входная емкость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 24 пФ
Проходная емкость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 9 пФ
Выходная емкость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 15 пФ

Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К190КТ2:

Напряжение сток-исток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .- 25 В
Напряжение затвор-сток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .- 30 В
Напряжение затвор-исток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .- 30 В
Напряжение подложка-исток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25 В
Ток стока . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50 мА
Рассеиваемая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 мВт
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-45…+85°С

Общие рекомендации по применению микросхемы К190КТ2:

Микросхемы позволяют коммутировать сигналы с амплитудами от 10 В до -5 В и от 0 до -10 В. При коммутировании положительного сигнала на подложку необходимо подать положительное напряжение, равное максимальному значению коммутируемого сигнала. Необходимо учитывать, что подложка электрически соединена с корпусом. При монтаже и демонтаже допускается не более 3 перепаек. Так как коммутаторы состоят из полевых транзисторов с изолированным затвором, то для них опасно перенапряжение между затвором и любым электродом. Следует учитывать также опасность электростатического заряда: заряд в 1…3*10-10 Кл может вызвать напряжение на затворе 50-100 В по отношению к другому электроду, необратимый пробой диэлектрика и отказ коммутатора.