КФ174УН23

Микросхема представляет собой низковольтный двухканальный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ) с электронной регулировкой громкости, работающий на нагрузку 8 Ом. Может использоваться как стереофонический или мостовой монофонический УМЗЧ громкоговорящей носимой радиоаппаратуры, в радиоприемниках, плеерах, магнитолах с питанием от одного до трех гальванических элементов, с выходом как на стереотелефоны, так и на низкоомные динамические громкоговорители. Дополняет комплект микросхем К174ХА34, К174ХА36, К174ХА37. Содержит 647 интегральных элементов.

Назначение выводов:
 1 — вход канала 1;
 2 — вход переключателя режима «стерео/моно»;
 3 — вход регулировки громкости;
 4 — вход канала 2;
 5 — выход канала 2;
 6 — общий;
 7 — напряжение питания (+Uп);
 8 — выход канала 1.

Типовая схема включения КФ174УН23
в мостовом монофоническом режиме:
типовая схема включения КФ174УН23 в мостовом монофоническом режиме

Типовая схема включения КФ174УН23
в стереофоническом режиме:
типовая схема включения КФ174УН23 в стереофоническом режиме

Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2…4,5 В
Ток потребления без входного сигнала при
Uпит=3 В; Uвх=0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 7 мА
Выходная мощность по каждому каналу при
Uпит=2 В; fвх=1 кГц . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 30 мВт
Выходная мощность в мостовом включении при
Uпит=3 В; fвх=1 кГц . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 200 мВт
Коэффициент усиления напряжения по каждому каналу при
Uпит=3 В; Uвх=10 мВ; fвх=1 кГц . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20…34 дБ
Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения
по каждому каналу при Uпит=3 В; Uвх=100 мВ; fвх=1 кГц . . . . . . . ≥ 50 дБ
Коэффициент гармоник при Uпит=3 В; fвх=1 кГц . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,5 %

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2…4,5 В
Рассеиваемая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 300 мВт
Сопротивление нагрузки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ 8 Ом
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25…+70 °C

Рекомендации по применению:
При эксплуатации микросхемы, должна быть предусмотрена защита от статического
электричества и от случайного увеличения питающих напряжений. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

Рекомендуется использовать минимальную длину соединений между выводами корпуса и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей. Не допускается подавать электрические потенциалы на незадействованные выводы. Замену микросхем производить только при отключенном источнике питания.

Температура пайки (235 ±5)°C, расстояние от корпуса до места пайки (1 ±0,5) мм, продолжительность пайки (2 ±0,5) секунд. Число допускаемых перепаек выводов при проведении монтажных операций — 3.

Микросхемы могут выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ±5)°C в течение времени не более 10 секунд, и пригодны для монтажа методом групповой пайки при температуре не выше 265°C продолжительностью не более 4 секунд.

Если вам понравилась статья, вы можете подписаться на RSS или E-mail рассылку. Для получения обновлений по электронной почте, введите ваш e-mail адрес в эту форму (Доставка от FeedBurner):

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *