Микросхема представляет собой времязадающую схему (таймер), предназначенную для работы в электронно-механических наручных часах.
Условное графическое обозначение микросхемы КР512ВИ1:
Микросхема состоит из следующих основных блоков: делитель с суммарным коэффициентом деления Ks=222; схема генератора; блок формирования тактовой частоты; блок управления периодическими прерываниями; блок управления коэффициентом деления делителя; схема записи управляющих логических состояний, предназначенных для управления коэффициентом деления делителя; делитель (Кд=2); схема управления выходной частотой; регистр A, B, C, D; дешифратор адреса ОЗУ общего пользования и головного ОЗУ; шинный интерфейс; схема управления таймером; схема управления выбора формы представления обрабатываемой информации (двоичная/двоично-десятичная, 12-часовой/24-часовой формат); ОЗУ на 10 байт для управления таймером; ОЗУ для внешнего пользования на 50 байт.
Назначение выводов микросхемы КР512ВИ1:
1 – свободный;
2 – вход кварцевого генератора GN1;
3 – выход кварцевого генератора GN2;
4 – вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D0;
5 – вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D1;
6 — вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D2;
7 — вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D3;
8 — вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D4;
9 — вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D5;
10 — вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D6;
11 — вход/выход «двунаправленная мультиплексная шина адресов/данных» A/D7;
12 – общий;
13 – вход «выбор кристалла» SE;
14 – вход «мультиплексный адресный строб» MAC;
15 – вход «чтение — запись» RD/WR;
16 – вход «запись» WR;
17 – вход «строб данных» CD;
18 – вход «сброс» SR;
19 – выход «запрос на прерывание» RQINR;
20 – вход выбора значения выходной тактовой частоты SED;
21 – выход тактовой частоты SYN1;
22 – вход «сбой питания» FL;
23 – выход промежуточных каскадов делителя частоты тактовых импульсов SYN2;
24 – напряжение питания.
Электрические параметры микросхемы КР512ВИ1:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 В ±10%
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 4,1 В
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,4 В
Ток потребления при f=32,768 кГц . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 100 мкА
Входной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 1 мкА
Входной ток низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1 мкА
Ток утечки высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 10 мкА
Время задержки установления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200…240 нс
Время задержки сброса . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10…200 нс
Время цикла . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 920 нс
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы КР512ВИ1:
Максимальное входное напряжение высокого уровня
(кроме вывода 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Uп В
Минимальное входное напряжение низкого уровня
(кроме вывода 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0 В
Максимальная емкость нагрузки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 пФ
Максимальное время нарастания (спада) входного импульса . . . . . . . . . .200 нс
Частота следования импульсов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,033…4,2 МГц
Максимальный выходной ток:
по всем выводам (кроме выводов 19, 23) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1,6 мА
по выводам 19, 23 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1 мА
Температура окружающие среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -45…+85 °С
